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TrenchHV TM
Power MOSFET
IXTA42N15T
IXTP42N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150V
= 42A
≤ 45m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
Maximum Ratings
150
150
± 30
V
V
V
G
TO-220
S
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
42
100
A
A
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
5
400
200
A
mJ
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
1.13 / 10
2.5
3.0
Nm/lb.in.
g
g
Features
International standard packages
175°C Operating Temperature
Avalanche rated
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
150
V
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
4.5
V
Applications
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
± 100 nA
5 μ A
DC-DC converters
Battery chargers
R DS(on)
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
38
150 μ A
45 m Ω
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor drives
Uninterruptible power supplies
High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99799A(11/08)
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